אלי יבלונוביץ'

אלי יבלונוביץ'
לידה	15 בדצמבר 1946 (בן 77); Puch bei Hallein, אוסטריה
ענף מדעי	אלקטרואופטיקה
מקום לימודים	אוניברסיטת הרווארד; אוניברסיטת מקגיל; בית הספר להנדסה ומדע שימושי של הרווארד; Baron Byng High School ;
מנחה לדוקטורט	ניקולס בלומברגן
מוסדות	אוניברסיטת קליפורניה בברקלי; Exxon Research & Engineering Company; Core Competence; אוניברסיטת קליפורניה בלוס אנג'לס; אוניברסיטת הרווארד ;
פרסים והוקרה	מדליית בנג'מין פרנקלין (2019); עמית האקדמיה האמריקאית לאמנויות ולמדעים; מדליית פרדריק אייבס (2019); Clifford Paterson Lecture; עמית החברה הפיזיקלית האמריקאית; מדלית אדיסון (2018); פרס אוליבר באקלי (2016); מדליית אייזק ניוטון (2015); חבר זר של החברה המלכותית (2013); פרס הארווי (2012); פרס IEEE לפוטוניקה (2012); Clarivate Citation Laureates (2011); מדליית מאונטבאטן (2010); פרס רוברט וו. ווד (1996); William Streifer Scientific Achievement Award (1993); מדליית אדולף לומב (1978) ;

אלי יבלונוביץ' (נולד ב-15 בדצמבר 1946) הוא פיזיקאי ומהנדס יהודי-אמריקאי ממוצא אוסטרי, חלוץ תחום הגבישים הפוטוניים^[1] (במשותף עם סאג'יב ג'ון). הוא וצוותו היו הראשונים ליצור מבנה תלת־ממדי שמציג פער אנרגיה פוטוני מלא, שנקרא על שמו, "יבלונוביט".

השכלה

יבלונוביץ' השלים את לימודיו לתואר ראשון בפיזיקה מאוניברסיטת מקגיל בשנת 1967. לאחר מכן השלים תואר שני בפיזיקה יישומית באוניברסיטת הרווארד בשנת 1969 ותואר שלישי מאותו מוסד בשנת 1972,^[2] בהנחיית ניקולס בלומברגן (לימים חתן פרס נובל לפיזיקה). בהיותו עמית בתר-דוקטורי חקר יבלונוביץ' את תחום האופטיקה הלא ליניארית באמצעות לייזר פחמן דו-חמצני.

קריירה

לאחר שקיבל תואר דוקטור, החל יבלונוביץ' לעבוד במעבדות בל, ובשנת 1974 הפך למרצה בכיר לפיזיקה יישומית באוניברסיטת הרווארד. בשנת 1979 הצטרף למרכז המחקר של אקסון, שם עסק בחקר תאים פוטו-וולטאיים לצורך יצירת אנרגיה סולארית. בעת עבודתו באקסון, יבלונוביץ' הצליח לפתח את הגבול התאורטי ללכידת אור בתאים פוטו-וולטאיים.^[2]

בשנת 1984 שב יבלונוביץ' למעבדות בל, לתחום חקר התקשורת, ובשנת 1991 היה לממונה על פיזיקת מצב מוצק במעבדות. בתקופה זו הוציא לפועל את עבודתו פורצת הדרך בנושא הגבישים הפוטוניים.^[1]

בהמשך הפך יבלונוביץ' לפרופסור להנדסת חשמל באוניברסיטת קליפורניה בלוס אנג'לס והמשך לתרום לחקר הגבישים הפוטוניים והחומרים המאופיינים במעבר פוטוני אסור. ביולי 2007 הוא הצטרף למחלקה למדעי המחשב והנדסת חשמל באוניברסיטת קליפורניה בברקלי. מחקרו כולל פוטוניקה של סיליקון, טלקומוניקציה, אנטנות אופטיות, יישומים חדשים של פוטו-וולטאיות, וחיפוש אחרי צרכני מתח זולים וחליפיים במקום טרנזיסטור. לאחרונה הוא עוסק בחקר גישות לחישוב אנלוגי לצורך פתרון בעיות סבוכות כגון בעיית הסוכן הנוסע.

יבלונוביץ' היה שותף להקמת מספר חברות הקשורות לתחומי המחקר שלו. בשנת 2000, הוא ייסד את .Ethertronics Inc, יצרנית אנטנות לטלפונים סלולריים שייצרה עד כה למעלה מ-1.7 מיליארד אנטנות.

בשנת 2001, יבלונוביץ' ייסד את .Luxtera Inc, חברת מוליכים למחצה המייצרת מערכות אלקטרואופטיות תוך שימוש בפוטוניקת סיליקון, המיוצרות בתהליכי CMOS. היא החברה הראשונה המשווקת התקנים פוטוניים מסיליקון המבוססים על יציקה.

כמו כן, היה שותף לייסוד של .Luminescent Inc בשנת 2002. Luminescent סיפקה אופטימיזציה מתוחכמת לשימוש במסכות פוטוליתוגרפיות, ולבסוף נרכשה על ידי Synopsys בשנת 2012.

בשנת 2008 הקים יבלונוביץ' את .Alta Devices Inc המייצרת תאים פוטו-וולטאיים של גליום ארסניד עם סרט דק לאנרגיה סולארית. Alta Devices מחזיקה כיום בשיא היעילות העולמי של תאים סולאריים עם צומת יחיד ב-29.1% ותאים סולאריים בצומת כפול ב-31.6%, שניהם בהארת שמש אחת.^[2]

יבלונוביץ' הוא עמית של IEEE, OSA ו- APS. הוא נבחר כחבר באקדמיה הלאומית למדעים, באקדמיה הלאומית להנדסה, באקדמיה הלאומית לממציאים, באקדמיה האמריקאית לאמנויות ומדעים, ומכהן כחבר זר בחברה המלכותית.

פרסים והוקרה

מדליית אדולף לומב (1978)
פרס ההישג המדעי על שם ו' שטרייפר (1993)
פרס ר' וו' ווד (1996)
פרס יוליוס שפרינגר (2001)
מדליית מאונטבאטן של IET הבריטי (2010)
פרס IEEE לפוטוניקה (2012)
פרס הארווי (2012)
פרס הדרגה (2014)
מדליית אייזק ניוטון (2015)
פרס אוליבר א' באקלי לחומר מעובה (2016)
פרס IEEE על שם ויליאם ר' צ'רי (2017)
מדליית IEEE על שם אדיסון (2018)
מדליית בנג'מין פרנקלין (2019)
מדליית פרדריק אייבס / פרס ג'רוס וו' קווין (2019)

קישורים חיצוניים

מדיה וקבצים בנושא אלי יבלונוביץ' בוויקישיתוף

הערות שוליים

^ ¹ ² Eli Yablonovitch, Inhibited Spontaneous Emission in Solid-State Physics and Electronics, Physical Review Letters, 20 58, 1987, עמ' 2059-2062 doi: https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.58.2059
^ ¹ ² ³ Eli Yablonovitch | EECS at UC Berkeley, https://www2.eecs.berkeley.edu/Faculty/Homepages/yablonovitch.html

[:0-1] ¹ ² Eli Yablonovitch, Inhibited Spontaneous Emission in Solid-State Physics and Electronics, Physical Review Letters, 20 58, 1987, עמ' 2059-2062 doi: https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.58.2059

[:1-2] ¹ ² ³ Eli Yablonovitch | EECS at UC Berkeley, https://www2.eecs.berkeley.edu/Faculty/Homepages/yablonovitch.html

[1]

[2]


לידה	15 בדצמבר 1946 (בן 77) Puch bei Hallein, אוסטריה
ענף מדעי	אלקטרואופטיקה
מקום לימודים	אוניברסיטת הרווארד אוניברסיטת מקגיל בית הספר להנדסה ומדע שימושי של הרווארד Baron Byng High School
מנחה לדוקטורט	ניקולס בלומברגן
מוסדות	אוניברסיטת קליפורניה בברקלי Exxon Research & Engineering Company Core Competence אוניברסיטת קליפורניה בלוס אנג'לס אוניברסיטת הרווארד
פרסים והוקרה	מדליית בנג'מין פרנקלין (2019) עמית האקדמיה האמריקאית לאמנויות ולמדעים מדליית פרדריק אייבס (2019) Clifford Paterson Lecture עמית החברה הפיזיקלית האמריקאית מדלית אדיסון (2018) פרס אוליבר באקלי (2016) מדליית אייזק ניוטון (2015) חבר זר של החברה המלכותית (2013) פרס הארווי (2012) פרס IEEE לפוטוניקה (2012) Clarivate Citation Laureates (2011) מדליית מאונטבאטן (2010) פרס רוברט וו. ווד (1996) William Streifer Scientific Achievement Award (1993) מדליית אדולף לומב (1978)